000手机网 手机新闻 IBM联合三星搞定5nm工艺 提升40%性能

IBM联合三星搞定5nm工艺 提升40%性能

    中关村在线消息:近日,IBM宣布芯片工艺再次实现突破。IBM与三星、GlobalFoundries组成的联盟成功开发出业界第一个全新硅纳米片(nanosheet)晶体管,实现5nm工艺的道路更近了。而就在2015年7月IBM刚刚完成首款7nm工艺芯片的制作,采用的是7nm FinFET工艺和EUV极紫外光刻技术。

    如今,时隔两年不到,IBM联盟在芯片工艺方面再次突破。

IBM联合三星搞定5nm工艺 提升40%性能
IBM

    据悉,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管,目前已经量产的10nm高通顶尖移动平台骁龙835在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。

    IBM称,同样封装面积中晶体管数量增加有非常多的好处,比如降低成本、提高性能、降低功耗,而非常重要的一点是,5nm芯片工艺下,现有移动设备尤其是智能手机的电池寿命将提升2至3倍。

IBM联合三星搞定5nm工艺 提升40%性能
5nm芯片工艺

    另外,此前的资料显示,5nm可能是物理极限,为此,IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN),号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。

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作者: dawei

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